PJC7476_R1_00001 PanJit Semiconductor
Виробник: PanJit SemiconductorCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 30.05 грн |
| 19+ | 20.62 грн |
| 100+ | 7.29 грн |
| 147+ | 6.20 грн |
| 403+ | 5.89 грн |
| 1000+ | 5.74 грн |
| 3000+ | 5.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJC7476_R1_00001 PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 0.3A, Pulsed drain current: 0.8A, Power dissipation: 0.35W, Case: SOT323, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 9Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 1.8nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції PJC7476_R1_00001 за ціною від 5.28 грн до 36.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PJC7476_R1_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
на замовлення 2975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PJC7476_R1_00001 | Виробник : Panjit |
MOSFET 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected |
на замовлення 2687 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PJC7476_R1_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.3A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.35W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PJC7476_R1_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
товару немає в наявності |