PJC7476_R1_00001

PJC7476_R1_00001 PanJit Semiconductor


PJC7476.pdf Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.3A
On-state resistance:
Gate charge: 1.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.8A
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+29.71 грн
19+20.38 грн
100+7.20 грн
147+6.13 грн
403+5.82 грн
1000+5.67 грн
3000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJC7476_R1_00001 PanJit Semiconductor

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Power dissipation: 0.35W, Case: SOT323, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 0.3A, On-state resistance: 9Ω, Gate charge: 1.8nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 0.8A, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції PJC7476_R1_00001 за ціною від 5.22 грн до 35.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJC7476_R1_00001 PJC7476_R1_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJC7476.pdf Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.42 грн
13+24.68 грн
100+15.40 грн
500+9.88 грн
1000+7.60 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7476_R1_00001 PJC7476_R1_00001 Виробник : Panjit PJC7476-1869229.pdf MOSFET 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
на замовлення 2687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.33 грн
14+25.38 грн
100+13.76 грн
1000+7.43 грн
3000+6.40 грн
9000+5.52 грн
24000+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7476_R1_00001 PJC7476_R1_00001 Виробник : PanJit Semiconductor PJC7476.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.3A
On-state resistance:
Gate charge: 1.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.8A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.65 грн
12+25.40 грн
100+8.64 грн
147+7.36 грн
403+6.99 грн
1000+6.81 грн
3000+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJC7476_R1_00001 PJC7476_R1_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJC7476.pdf Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.