PJC7476_R1_00001 Panjit International Inc.
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 30.18 грн |
| 13+ | 22.28 грн |
| 100+ | 13.9 грн |
| 500+ | 8.92 грн |
| 1000+ | 6.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJC7476_R1_00001 Panjit International Inc.
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 0.3A, Pulsed drain current: 0.8A, Power dissipation: 0.35W, Case: SOT323, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 9Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 1.8nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 5 шт.
Інші пропозиції PJC7476_R1_00001 за ціною від 4.72 грн до 31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PJC7476_R1_00001 | Виробник : Panjit |
 MOSFET 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected |
на замовлення 2687 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PJC7476_R1_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.3A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.35W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
PJC7476_R1_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| PJC7476_R1_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.3A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.35W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |