PJC7476_R1_00001 Panjit International Inc.
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 33.30 грн |
| 13+ | 24.59 грн |
| 100+ | 15.34 грн |
| 500+ | 9.85 грн |
| 1000+ | 7.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJC7476_R1_00001 Panjit International Inc.
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 0.8A, Power dissipation: 0.35W, Gate charge: 1.8nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 0.3A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 100V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: SOT323, On-state resistance: 9Ω.
Інші пропозиції PJC7476_R1_00001
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PJC7476_R1_00001 | Panjit |
 MOSFET 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected |
на замовлення 2687 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PJC7476_R1_00001 |
|
Виробник: Panjit
MOSFET 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
MOSFET 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
на замовлення 2687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)