PJC7476_R1_00001 Panjit International Inc.
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 32.75 грн |
| 13+ | 24.18 грн |
| 100+ | 15.09 грн |
| 500+ | 9.69 грн |
| 1000+ | 7.45 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
10 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJC7476_R1_00001 Panjit International Inc.
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 0.8A, Power dissipation: 0.35W, Gate charge: 1.8nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 0.3A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 100V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: SOT323, On-state resistance: 9Ω.
Інші пропозиції PJC7476_R1_00001
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
PJC7476_R1_00001 | Panjit International Inc. |
Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
PJC7476_R1_00001 | Panjit |
MOSFETs 100V, N-Channel 350mW, 9Ohms, SOT-323-3 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. |
|
PJC7476_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW Mounting: SMD Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.35W Gate charge: 1.8nC Polarisation: unipolar Drain current: 0.3A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: SOT323 On-state resistance: 9Ω |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| PJC7476_R1_00001 |
![]() |
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| PJC7476_R1_00001 |
![]() |
Виробник: Panjit
MOSFETs 100V, N-Channel 350mW, 9Ohms, SOT-323-3
MOSFETs 100V, N-Channel 350mW, 9Ohms, SOT-323-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику
од. на суму грн.
| PJC7476_R1_00001 |
![]() |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Gate charge: 1.8nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT323
On-state resistance: 9Ω
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Gate charge: 1.8nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT323
On-state resistance: 9Ω
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.





