Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJD11N06A-AU_L2_000A1
PJD11N06A-AU_L2_000A1

PJD11N06A-AU_L2_000A1 Panjit International Inc.

PJD11N06A-AU.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.91 грн
10+34.61 грн
100+22.40 грн
500+16.05 грн
1000+14.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJD11N06A-AU_L2_000A1 Panjit International Inc.

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PJD11N06A-AU_L2_000A1 за ціною від 11.81 грн до 63.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJD11N06A-AU_L2_000A1 PJD11N06A-AU_L2_000A1 Виробник : Panjit 1D538DEA48B63E0F209986C3FF3F7714FBDFABD01213FA4F38D48AE0FFD8DA44.pdf MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 1444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.19 грн
10+38.75 грн
100+21.81 грн
500+16.69 грн
1000+15.04 грн
3000+12.83 грн
6000+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJD11N06A-AU_L2_000A1 PJD11N06A-AU_L2_000A1 Виробник : Panjit International Inc. PJD11N06A-AU.pdf Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD11N06A-AU_L2_000A1 Виробник : PanJit Semiconductor PJD11N06A-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.