Продукція > PANJIT SEMICONDUCTOR > PJD16P06A_L2_00001
PJD16P06A_L2_00001

PJD16P06A_L2_00001 PanJit Semiconductor

PJD16P06A.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -16A; Idm: -64A; 2W; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -16A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -64A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 2W
на замовлення 10928 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+48.68 грн
14+31.06 грн
100+21.18 грн
250+19.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJD16P06A_L2_00001 PanJit Semiconductor

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: TO-252, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 16A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції PJD16P06A_L2_00001 за ціною від 13.28 грн до 68.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJD16P06A_L2_00001 PJD16P06A_L2_00001 Виробник : Panjit 5174BFA2CDC3C0B7440E7B4F52064C869DEF8807AD1A2D4E0D339DBE9A084762.pdf MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 14657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.39 грн
10+41.91 грн
100+23.71 грн
500+18.29 грн
1000+16.48 грн
3000+14.39 грн
6000+13.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJD16P06A_L2_00001 PJD16P06A_L2_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJD16P06A.pdf Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD16P06A_L2_00001 PJD16P06A_L2_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJD16P06A.pdf Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD16P06A-L2-00001 PJD16P06A-L2-00001 Виробник : Panjit PJD16P06A-1867568.pdf MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.