Продукція > PANJIT SEMICONDUCTOR > PJD16P06A_L2_00001
PJD16P06A_L2_00001

PJD16P06A_L2_00001 PanJit Semiconductor

PJD16P06A.pdf Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -16A; Idm: -64A; 2W; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -16A
Pulsed drain current: -64A
Power dissipation: 2W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
на замовлення 10931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+49.78 грн
13+31.96 грн
47+20.32 грн
127+19.21 грн
250+19.13 грн
500+18.41 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJD16P06A_L2_00001 PanJit Semiconductor

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V.

Інші пропозиції PJD16P06A_L2_00001 за ціною від 14.54 грн до 75.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJD16P06A_L2_00001 PJD16P06A_L2_00001 Виробник : PanJit Semiconductor PJD16P06A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -16A; Idm: -64A; 2W; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -16A
Pulsed drain current: -64A
Power dissipation: 2W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10931 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.74 грн
10+39.83 грн
47+24.39 грн
127+23.05 грн
250+22.95 грн
500+22.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJD16P06A_L2_00001 PJD16P06A_L2_00001 Виробник : Panjit 5174BFA2CDC3C0B7440E7B4F52064C869DEF8807AD1A2D4E0D339DBE9A084762.pdf MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 15396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.25 грн
10+46.11 грн
100+26.09 грн
500+20.12 грн
1000+18.13 грн
3000+15.84 грн
6000+14.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJD16P06A_L2_00001 PJD16P06A_L2_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJD16P06A.pdf Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD16P06A_L2_00001 PJD16P06A_L2_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJD16P06A.pdf Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD16P06A-L2-00001 PJD16P06A-L2-00001 Виробник : Panjit PJD16P06A-1867568.pdf MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.