Продукція > PANJIT > PJD16P06A_L2_00001
PJD16P06A_L2_00001

PJD16P06A_L2_00001 Panjit

PJD16P06A-1867568.pdf Виробник: Panjit
MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 15718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.82 грн
10+42.03 грн
100+24.22 грн
250+21.80 грн
500+18.86 грн
1000+17.17 грн
3000+15.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJD16P06A_L2_00001 Panjit

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V.

Інші пропозиції PJD16P06A_L2_00001 за ціною від 22.01 грн до 52.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJD16P06A_L2_00001 Виробник : PanJit Semiconductor PJD16P06A.pdf PJD16P06A-L2 SMD P channel transistors
на замовлення 11044 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+52.36 грн
47+23.30 грн
127+22.02 грн
6000+22.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJD16P06A_L2_00001 PJD16P06A_L2_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJD16P06A.pdf Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD16P06A_L2_00001 PJD16P06A_L2_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJD16P06A.pdf Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD16P06A-L2-00001 PJD16P06A-L2-00001 Виробник : Panjit PJD16P06A-1867568.pdf MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.