на замовлення 4997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 86.69 грн |
| 10+ | 57.19 грн |
| 100+ | 34.50 грн |
| 500+ | 27.59 грн |
| 1000+ | 25.38 грн |
| 3000+ | 22.51 грн |
| 6000+ | 22.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJD18N20_L2_00001 Panjit
Description: 200V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1017 pF @ 25 V.
Інші пропозиції PJD18N20_L2_00001 за ціною від 29.05 грн до 99.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PJD18N20_L2_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
 Description: 200V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1017 pF @ 25 V |
на замовлення 679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
PJD18N20_L2_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 83W; TO252AA Case: TO252AA Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 24nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 72A Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A On-state resistance: 0.16Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 83W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
PJD18N20_L2_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
Description: 200V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1017 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
PJD18N20-L2-00001 | Виробник : Panjit |
MOSFETs TO252 200V 18A N-CH |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
PJD18N20_L2_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 83W; TO252AA Case: TO252AA Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 24nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 72A Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A On-state resistance: 0.16Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 83W Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |