Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJD18N20_L2_00001
PJD18N20_L2_00001

PJD18N20_L2_00001 Panjit International Inc.

PJx18N20.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: 200V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1017 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+26.02 грн
6000+23.23 грн
9000+22.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJD18N20_L2_00001 Panjit International Inc.

Description: 200V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1017 pF @ 25 V.

Інші пропозиції PJD18N20_L2_00001 за ціною від 21.77 грн до 101.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJD18N20_L2_00001 PJD18N20_L2_00001 Виробник : Panjit 581BF5624A5D00366D7DBD6515FA43AFD59BD4A63BB2B528E3747FCE6850A1DF.pdf MOSFETs 200V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 8912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+88.34 грн
10+57.44 грн
100+34.66 грн
500+29.62 грн
1000+26.89 грн
3000+21.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJD18N20_L2_00001 PJD18N20_L2_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJx18N20.pdf Description: 200V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1017 pF @ 25 V
на замовлення 9669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.30 грн
10+61.03 грн
100+40.41 грн
500+29.60 грн
1000+26.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJD18N20-L2-00001 PJD18N20-L2-00001 Виробник : Panjit PJx18N20-1867470.pdf MOSFETs TO252 200V 18A N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.