Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJD25N03_L2_00001
PJD25N03_L2_00001

PJD25N03_L2_00001 Panjit International Inc.

PJD25N03.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 392 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.49 грн
6000+9.56 грн
9000+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJD25N03_L2_00001 Panjit International Inc.

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 392 pF @ 25 V.

Інші пропозиції PJD25N03_L2_00001 за ціною від 8.95 грн до 53.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJD25N03_L2_00001 PJD25N03_L2_00001 Виробник : Panjit PJD25N03-1867369.pdf MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+34.59 грн
13+28.77 грн
100+18.65 грн
500+14.63 грн
1000+11.68 грн
3000+9.86 грн
9000+8.95 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N03_L2_00001 PJD25N03_L2_00001 Виробник : PanJit Semiconductor PJD25N03.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO252AA
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25A
Gate charge: 4.3nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 25W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: TO252AA
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+39.98 грн
17+24.64 грн
69+13.58 грн
188+12.80 грн
1000+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N03_L2_00001 PJD25N03_L2_00001 Виробник : PanJit Semiconductor PJD25N03.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO252AA
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25A
Gate charge: 4.3nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 25W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: TO252AA
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.97 грн
10+30.71 грн
69+16.30 грн
188+15.35 грн
1000+14.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N03_L2_00001 PJD25N03_L2_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJD25N03.pdf Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 392 pF @ 25 V
на замовлення 14584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.31 грн
10+31.83 грн
100+20.42 грн
500+14.54 грн
1000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N03-L2-00001 PJD25N03-L2-00001 Виробник : Panjit PJD25N03-1867369.pdf MOSFET TO-252AA/MOS/TO/NFET-30SMN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.