Продукція > PANJIT SEMICONDUCTOR > PJD25N06A_L2_00001
PJD25N06A_L2_00001

PJD25N06A_L2_00001 PanJit Semiconductor

PJD25N06A.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 40W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 40W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1522 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+42.45 грн
16+26.75 грн
100+19.54 грн
500+16.19 грн
1000+15.01 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJD25N06A_L2_00001 PanJit Semiconductor

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V.

Інші пропозиції PJD25N06A_L2_00001 за ціною від 21.72 грн до 56.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PJD25N06A_L2_00001 PJD25N06A_L2_00001 Panjit International Inc. PJD25N06A.pdf Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.43 грн
10+33.59 грн
100+21.72 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N06A_L2_00001 PJD25N06A_L2_00001 Panjit 91E60674E9478B14E86DA67CE03065BBC616C61D5762E2C19E6D74A82DA41442.pdf MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N06A_L2_00001 PJD25N06A.pdf
PJD25N06A_L2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+56.43 грн
10+33.59 грн
100+21.72 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N06A_L2_00001 91E60674E9478B14E86DA67CE03065BBC616C61D5762E2C19E6D74A82DA41442.pdf
PJD25N06A_L2_00001
Виробник: Panjit
MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.