Продукція > PANJIT > PJD25N10A_L2_00001
PJD25N10A_L2_00001

PJD25N10A_L2_00001 Panjit

PJD25N10A-3247304.pdf Виробник: Panjit
MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 1736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.58 грн
10+48.45 грн
100+28.99 грн
500+23.12 грн
1000+21.21 грн
3000+18.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJD25N10A_L2_00001 Panjit

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3601 pF @ 15 V.

Інші пропозиції PJD25N10A_L2_00001 за ціною від 23.00 грн до 87.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJD25N10A_L2_00001 PJD25N10A_L2_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJD25N10A.pdf Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3601 pF @ 15 V
на замовлення 2602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.33 грн
10+53.13 грн
100+34.87 грн
500+25.37 грн
1000+23.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJD25N10A_L2_00001 PJD25N10A_L2_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJD25N10A.pdf Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3601 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.