Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJD35N06A_L2_00001
PJD35N06A_L2_00001

PJD35N06A_L2_00001 Panjit International Inc.

PJx35N06A.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.55 грн
10+33.68 грн
100+22.53 грн
500+16.76 грн
1000+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJD35N06A_L2_00001 Panjit International Inc.

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 35A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-252AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 63W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 20A, 10V.

Інші пропозиції PJD35N06A_L2_00001 за ціною від 10.99 грн до 56.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJD35N06A_L2_00001 PJD35N06A_L2_00001 Виробник : Panjit C305F99290F8776487FB0560765A40C0B952CBBBC159B2BFB410FBF16994B956.pdf MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.55 грн
10+35.11 грн
100+20.44 грн
500+16.55 грн
1000+14.95 грн
3000+11.40 грн
6000+10.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJD35N06A_L2_00001 PJD35N06A_L2_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJx35N06A.pdf Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 20A, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD35N06A-L2-00001 PJD35N06A-L2-00001 Виробник : Panjit PJx35N06A-1867570.pdf MOSFETs TO252 N CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.