Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJD35N06A_L2_00001
PJD35N06A_L2_00001

PJD35N06A_L2_00001 Panjit International Inc.

PJx35N06A.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
на замовлення 2560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.40 грн
10+34.10 грн
100+23.37 грн
500+18.23 грн
1000+16.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJD35N06A_L2_00001 Panjit International Inc.

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 63W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V.

Інші пропозиції PJD35N06A_L2_00001 за ціною від 12.40 грн до 55.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJD35N06A_L2_00001 PJD35N06A_L2_00001 Виробник : Panjit PJx35N06A-1867570.pdf MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+55.31 грн
10+36.63 грн
100+21.80 грн
500+17.25 грн
1000+15.71 грн
3000+12.70 грн
9000+12.40 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJD35N06A_L2_00001 PJD35N06A_L2_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJx35N06A.pdf Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD35N06A-L2-00001 PJD35N06A-L2-00001 Виробник : Panjit PJx35N06A-1867570.pdf MOSFETs TO252 N CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.