PJD35P03_L2_00001 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1169 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 63.68 грн |
| 10+ | 37.92 грн |
| 100+ | 24.55 грн |
| 500+ | 17.64 грн |
| 1000+ | 15.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJD35P03_L2_00001 Panjit International Inc.
Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Supplier Device Package: TO-252AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 35A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1169 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V.
Інші пропозиції PJD35P03_L2_00001
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
PJD35P03_L2_00001 | Panjit |
MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
на замовлення 3017 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PJD35P03_L2_00001 |
![]() |
Виробник: Panjit
MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 3017 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)



