Продукція > PANJIT > PJD35P03_L2_00001
PJD35P03_L2_00001

PJD35P03_L2_00001 Panjit

PJD35P03-1867571.pdf Виробник: Panjit
MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.74 грн
10+34.00 грн
100+20.24 грн
500+15.93 грн
1000+14.50 грн
3000+11.63 грн
9000+11.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJD35P03_L2_00001 Panjit

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1169 pF @ 15 V.

Інші пропозиції PJD35P03_L2_00001 за ціною від 14.35 грн до 63.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJD35P03_L2_00001 PJD35P03_L2_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJD35P03.pdf Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1169 pF @ 15 V
на замовлення 1717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.65 грн
10+37.90 грн
100+24.53 грн
500+17.63 грн
1000+15.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJD35P03_L2_00001 Виробник : PanJit Semiconductor PJD35P03.pdf PJD35P03-L2 SMD P channel transistors
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.33 грн
69+15.25 грн
190+14.35 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJD35P03_L2_00001 PJD35P03_L2_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJD35P03.pdf Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1169 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD35P03-L2-00001 PJD35P03-L2-00001 Виробник : Panjit PJD35P03-1867571.pdf MOSFET TO-252AA/MOS/TO/NFET-30SMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.