Продукція > PANJIT SEMICONDUCTOR > PJD35P03_L2_00001
PJD35P03_L2_00001

PJD35P03_L2_00001 PanJit Semiconductor

PJD35P03.pdf Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -35A; Idm: -140A; 35W; TO252AA
Power dissipation: 35W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: TO252AA
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -140A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -35A
на замовлення 2734 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+38.69 грн
15+25.53 грн
69+13.38 грн
190+12.69 грн
500+12.38 грн
1000+12.23 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJD35P03_L2_00001 PanJit Semiconductor

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1169 pF @ 15 V.

Інші пропозиції PJD35P03_L2_00001 за ціною від 11.52 грн до 65.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJD35P03_L2_00001 PJD35P03_L2_00001 Виробник : PanJit Semiconductor PJD35P03.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -35A; Idm: -140A; 35W; TO252AA
Power dissipation: 35W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: TO252AA
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -140A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -35A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2734 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.43 грн
10+31.82 грн
69+16.05 грн
190+15.23 грн
500+14.86 грн
1000+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJD35P03_L2_00001 PJD35P03_L2_00001 Виробник : Panjit PJD35P03-1867571.pdf MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.91 грн
10+34.77 грн
100+20.70 грн
500+16.29 грн
1000+14.82 грн
3000+11.89 грн
9000+11.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJD35P03_L2_00001 PJD35P03_L2_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJD35P03.pdf Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1169 pF @ 15 V
на замовлення 1717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.10 грн
10+38.76 грн
100+25.09 грн
500+18.03 грн
1000+16.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJD35P03_L2_00001 PJD35P03_L2_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJD35P03.pdf Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1169 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD35P03-L2-00001 PJD35P03-L2-00001 Виробник : Panjit PJD35P03-1867571.pdf MOSFET TO-252AA/MOS/TO/NFET-30SMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.