Продукція > PANJIT SEMICONDUCTOR > PJD35P03_L2_00001
PJD35P03_L2_00001

PJD35P03_L2_00001 PanJit Semiconductor

PJD35P03.pdf Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -35A; Idm: -140A; 35W; TO252AA
Mounting: SMD
Case: TO252AA
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -35A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -140A
на замовлення 2634 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+44.87 грн
15+27.98 грн
69+13.36 грн
190+12.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJD35P03_L2_00001 PanJit Semiconductor

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1169 pF @ 15 V.

Інші пропозиції PJD35P03_L2_00001 за ціною від 11.62 грн до 66.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJD35P03_L2_00001 PJD35P03_L2_00001 Виробник : Panjit PJD35P03-1867571.pdf MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.50 грн
11+33.93 грн
100+20.15 грн
500+15.92 грн
1000+14.49 грн
3000+11.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJD35P03_L2_00001 PJD35P03_L2_00001 Виробник : PanJit Semiconductor PJD35P03.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -35A; Idm: -140A; 35W; TO252AA
Mounting: SMD
Case: TO252AA
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -35A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -140A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2634 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.84 грн
10+34.87 грн
69+16.04 грн
190+15.09 грн
21000+14.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJD35P03_L2_00001 PJD35P03_L2_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJD35P03.pdf Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1169 pF @ 15 V
на замовлення 1717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.93 грн
10+39.85 грн
100+25.80 грн
500+18.54 грн
1000+16.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJD35P03_L2_00001 PJD35P03_L2_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJD35P03.pdf Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1169 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD35P03-L2-00001 PJD35P03-L2-00001 Виробник : Panjit PJD35P03-1867571.pdf MOSFET TO-252AA/MOS/TO/NFET-30SMP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.