Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJD40P03E-AU_L2_006A1
PJD40P03E-AU_L2_006A1

PJD40P03E-AU_L2_006A1 Panjit International Inc.

PJD40P03E-AU Виробник: Panjit International Inc.
Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+36.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJD40P03E-AU_L2_006A1 Panjit International Inc.

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 33A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.8mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PJD40P03E-AU_L2_006A1 за ціною від 32.87 грн до 113.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJD40P03E-AU_L2_006A1 PJD40P03E-AU_L2_006A1 Виробник : Panjit PJD40P03E_AU-3326348.pdf MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.28 грн
10+78.32 грн
100+53.03 грн
500+44.99 грн
1000+36.67 грн
3000+34.44 грн
6000+32.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40P03E-AU_L2_006A1 PJD40P03E-AU_L2_006A1 Виробник : Panjit International Inc. PJD40P03E-AU Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.33 грн
10+74.60 грн
100+52.38 грн
500+39.89 грн
1000+36.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40P03E-AU_L2_006A1 Виробник : PanJit Semiconductor PJD40P03E-AU PJD40P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.