PJD45N06A_L2_00001 PanJit Semiconductor
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; Idm: 180A; 63W; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 39nC
On-state resistance: 15mΩ
Drain current: 45A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 63W
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 180A
Kind of channel: enhancement
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 62.21 грн |
| 11+ | 40.11 грн |
| 100+ | 27.65 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
8 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJD45N06A_L2_00001 PanJit Semiconductor
Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 63W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2256 pF @ 25 V.
Інші пропозиції PJD45N06A_L2_00001 за ціною від 21.32 грн до 76.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PJD45N06A_L2_00001 | Panjit International Inc. |
Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2256 pF @ 25 V |
на замовлення 3020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
PJD45N06A_L2_00001 | Panjit |
MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
на замовлення 9255 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PJD45N06A_L2_00001 |
![]() |
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2256 pF @ 25 V
Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2256 pF @ 25 V
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 76.36 грн |
| 10+ | 46.42 грн |
| 100+ | 30.75 грн |
| 500+ | 23.64 грн |
| 1000+ | 21.32 грн |
| PJD45N06A_L2_00001 |
![]() |
Виробник: Panjit
MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 9255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




