PJD45N06A_L2_00001 PanJit Semiconductor


PJx45N06A.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; Idm: 180A; 63W; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 39nC
On-state resistance: 15mΩ
Drain current: 45A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 63W
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 180A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 154 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+62.21 грн
11+40.11 грн
100+27.65 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 8 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJD45N06A_L2_00001 PanJit Semiconductor

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 63W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2256 pF @ 25 V.

Інші пропозиції PJD45N06A_L2_00001 за ціною від 21.32 грн до 76.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PJD45N06A_L2_00001 PJD45N06A_L2_00001 Panjit International Inc. PJx45N06A.pdf Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2256 pF @ 25 V
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.36 грн
10+46.42 грн
100+30.75 грн
500+23.64 грн
1000+21.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N06A_L2_00001 PJD45N06A_L2_00001 Panjit 121CE0F2EFC0D651376EDA6E98FDC61B94B18AC925938C8A99769605683AECF9.pdf MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 9255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N06A_L2_00001 PJx45N06A.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2256 pF @ 25 V
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+76.36 грн
10+46.42 грн
100+30.75 грн
500+23.64 грн
1000+21.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N06A_L2_00001 121CE0F2EFC0D651376EDA6E98FDC61B94B18AC925938C8A99769605683AECF9.pdf
Виробник: Panjit
MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 9255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.