Продукція > PANJIT SEMICONDUCTOR > PJD45N06A_L2_00001
PJD45N06A_L2_00001

PJD45N06A_L2_00001 PanJit Semiconductor

PJx45N06A.pdf Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; Idm: 180A; 63W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 63W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+54.74 грн
12+33.94 грн
49+18.16 грн
134+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJD45N06A_L2_00001 PanJit Semiconductor

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 63W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2256 pF @ 25 V.

Інші пропозиції PJD45N06A_L2_00001 за ціною від 18.87 грн до 76.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJD45N06A_L2_00001 PJD45N06A_L2_00001 Виробник : Panjit PJx45N06A-1867472.pdf MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 11498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.44 грн
10+45.06 грн
100+27.48 грн
500+22.17 грн
1000+20.02 грн
3000+19.02 грн
9000+18.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N06A_L2_00001 PJD45N06A_L2_00001 Виробник : PanJit Semiconductor PJx45N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; Idm: 180A; 63W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 63W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1568 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.69 грн
10+42.29 грн
49+21.80 грн
134+20.63 грн
6000+19.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N06A_L2_00001 PJD45N06A_L2_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJx45N06A.pdf Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2256 pF @ 25 V
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.85 грн
10+46.72 грн
100+30.95 грн
500+23.79 грн
1000+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N06A_L2_00001 PJD45N06A_L2_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJx45N06A.pdf Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2256 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N06A-L2-00001 PJD45N06A-L2-00001 Виробник : Panjit PJx45N06A-1867472.pdf MOSFETs TO-252AA/MOS/TO/NFET-60SMN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.