Продукція > PANJIT SEMICONDUCTOR > PJD45N06A_L2_00001
PJD45N06A_L2_00001

PJD45N06A_L2_00001 PanJit Semiconductor

PJx45N06A.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; Idm: 180A; 63W; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 39nC
On-state resistance: 15mΩ
Drain current: 45A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 63W
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 180A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 154 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+63.22 грн
11+40.76 грн
100+28.09 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJD45N06A_L2_00001 PanJit Semiconductor

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2256 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: TO-252AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 63W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc), FET Type: N-Channel.

Інші пропозиції PJD45N06A_L2_00001 за ціною від 21.67 грн до 77.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PJD45N06A_L2_00001 PJD45N06A_L2_00001 Panjit International Inc. PJx45N06A.pdf Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2256 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.60 грн
10+47.17 грн
100+31.25 грн
500+24.02 грн
1000+21.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N06A_L2_00001 PJD45N06A_L2_00001 Panjit 121CE0F2EFC0D651376EDA6E98FDC61B94B18AC925938C8A99769605683AECF9.pdf MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 9255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N06A_L2_00001 PJx45N06A.pdf
PJD45N06A_L2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2256 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+77.60 грн
10+47.17 грн
100+31.25 грн
500+24.02 грн
1000+21.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD45N06A_L2_00001 121CE0F2EFC0D651376EDA6E98FDC61B94B18AC925938C8A99769605683AECF9.pdf
PJD45N06A_L2_00001
Виробник: Panjit
MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 9255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.