Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJD50N04-AU_L2_000A1
PJD50N04-AU_L2_000A1

PJD50N04-AU_L2_000A1 Panjit International Inc.

PJD50N04-AU Виробник: Panjit International Inc.
Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 64.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.41 грн
10+59.20 грн
100+39.12 грн
500+28.65 грн
1000+26.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJD50N04-AU_L2_000A1 Panjit International Inc.

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 64.9W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PJD50N04-AU_L2_000A1 за ціною від 21.43 грн до 104.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJD50N04-AU_L2_000A1 PJD50N04-AU_L2_000A1 Виробник : Panjit F5FC64AE00CA684C61F7081976623B1AB9CA23A0E04BFD4B59B51EF846B9857D.pdf MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.16 грн
10+64.99 грн
100+37.42 грн
500+29.27 грн
1000+26.55 грн
3000+23.13 грн
6000+21.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50N04-AU_L2_000A1 PJD50N04-AU_L2_000A1 Виробник : Panjit International Inc. PJD50N04-AU Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 64.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50N04-AU_L2_000A1 Виробник : PanJit Semiconductor PJD50N04-AU Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.