Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJD50N04-AU_L2_000A1
PJD50N04-AU_L2_000A1

PJD50N04-AU_L2_000A1 Panjit International Inc.

PJD50N04-AU
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 64.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.75 грн
10+55.15 грн
100+36.45 грн
500+26.69 грн
1000+24.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJD50N04-AU_L2_000A1 Panjit International Inc.

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: TO-252AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 64.9W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 8A, 10V, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 50A (Tc).

Інші пропозиції PJD50N04-AU_L2_000A1 за ціною від 19.19 грн до 93.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJD50N04-AU_L2_000A1 PJD50N04-AU_L2_000A1 Виробник : Panjit F5FC64AE00CA684C61F7081976623B1AB9CA23A0E04BFD4B59B51EF846B9857D.pdf MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.30 грн
10+58.22 грн
100+33.52 грн
500+26.22 грн
1000+23.78 грн
3000+20.72 грн
6000+19.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50N04-AU_L2_000A1 PJD50N04-AU_L2_000A1 Виробник : Panjit International Inc. PJD50N04-AU Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 64.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 8A, 10V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 50A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.