Продукція > PANJIT > PJD50N10AL-AU_L2_000A1
PJD50N10AL-AU_L2_000A1

PJD50N10AL-AU_L2_000A1 Panjit


PJD50N10AL-3247402.pdf Виробник: Panjit
MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2687 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.10 грн
10+64.16 грн
100+38.88 грн
500+31.26 грн
1000+28.77 грн
3000+25.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJD50N10AL-AU_L2_000A1 Panjit

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PJD50N10AL-AU_L2_000A1 за ціною від 30.53 грн до 111.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJD50N10AL-AU_L2_000A1 PJD50N10AL-AU_L2_000A1 Виробник : Panjit International Inc. PJD50N10AL-AU Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+111.67 грн
10+68.26 грн
100+45.46 грн
500+33.48 грн
1000+30.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50N10AL-AU_L2_000A1 PJD50N10AL-AU_L2_000A1 Виробник : Panjit International Inc. PJD50N10AL-AU Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.