Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJD50N10AL_L2_00001
PJD50N10AL_L2_00001

PJD50N10AL_L2_00001 Panjit International Inc.

PJD50N10AL.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+24.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJD50N10AL_L2_00001 Panjit International Inc.

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-252AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 42A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції PJD50N10AL_L2_00001 за ціною від 25.66 грн до 96.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJD50N10AL_L2_00001 PJD50N10AL_L2_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJD50N10AL.pdf Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 30 V
на замовлення 5782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.23 грн
10+58.31 грн
100+38.55 грн
500+28.22 грн
1000+25.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50N10AL_L2_00001 PJD50N10AL_L2_00001 Виробник : Panjit PJD50N10AL.pdf MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50N10AL-L2-00001 PJD50N10AL-L2-00001 Виробник : Panjit MOSFETs TO-252AA/MOS/TO/NFET-100SMN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.