PJD50P04_L2_00001

PJD50P04_L2_00001 Panjit International Inc.


PJD50P04.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3468 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.71 грн
10+50.78 грн
100+33.38 грн
500+24.32 грн
1000+22.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJD50P04_L2_00001 Panjit International Inc.

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: TO-252AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc).

Інші пропозиції PJD50P04_L2_00001

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJD50P04_L2_00001 PJD50P04_L2_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJD50P04.pdf Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50P04_L2_00001 PJD50P04_L2_00001 Виробник : Panjit PJD50P04-1867598.pdf MOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD50P04-L2-00001 PJD50P04-L2-00001 Виробник : Panjit MOSFETs TO252 N CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.