Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJD55P03E-AU_L2_006A1
PJD55P03E-AU_L2_006A1

PJD55P03E-AU_L2_006A1 Panjit International Inc.

PJD55P03E-AU.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+64.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJD55P03E-AU_L2_006A1 Panjit International Inc.

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 48A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 44W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PJD55P03E-AU_L2_006A1 за ціною від 61.13 грн до 215.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJD55P03E-AU_L2_006A1 PJD55P03E-AU_L2_006A1 Виробник : Panjit PJD55P03E_AU-3385802.pdf MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+193.51 грн
10+183.15 грн
100+151.19 грн
250+148.98 грн
500+146.78 грн
1000+143.85 грн
3000+61.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJD55P03E-AU_L2_006A1 PJD55P03E-AU_L2_006A1 Виробник : Panjit International Inc. PJD55P03E-AU.pdf Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+215.94 грн
10+134.01 грн
100+92.29 грн
500+69.87 грн
1000+64.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJD55P03E-AU_L2_006A1 Виробник : PanJit Semiconductor PJD55P03E-AU.pdf PJD55P03E-AU-L2 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.