Продукція > PANJIT > PJD60P04E-AU_L2_006A1
PJD60P04E-AU_L2_006A1

PJD60P04E-AU_L2_006A1 Panjit

PJD60P04E-AU.pdf
Виробник: Panjit
MOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.29 грн
10+85.19 грн
100+51.71 грн
500+42.00 грн
1000+39.97 грн
3000+34.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJD60P04E-AU_L2_006A1 Panjit

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 61A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2897 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PJD60P04E-AU_L2_006A1 за ціною від 41.54 грн до 141.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJD60P04E-AU_L2_006A1 PJD60P04E-AU_L2_006A1 Виробник : Panjit International Inc. PJD60P04E-AU Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2897 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.51 грн
10+86.76 грн
100+58.74 грн
500+43.85 грн
1000+41.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60P04E-AU_L2_006A1 PJD60P04E-AU_L2_006A1 Виробник : Panjit International Inc. PJD60P04E-AU Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2897 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD60P04E-AU_L2_006A1 Виробник : PanJit Semiconductor PJD60P04E-AU Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -61A; Idm: -171A; 38W; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -61A
Power dissipation: 38W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 11.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -171A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.