Продукція > PANJIT > PJD70P03E-AU_L2_006A1
PJD70P03E-AU_L2_006A1

PJD70P03E-AU_L2_006A1 Panjit


PJD70P03E_AU.pdf Виробник: Panjit
MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2657 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.14 грн
10+92.85 грн
100+56.21 грн
500+45.10 грн
1000+42.15 грн
3000+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJD70P03E-AU_L2_006A1 Panjit

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 77A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PJD70P03E-AU_L2_006A1 за ціною від 42.12 грн до 145.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJD70P03E-AU_L2_006A1 PJD70P03E-AU_L2_006A1 Виробник : Panjit International Inc. PJD70P03E-AU Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.28 грн
10+89.12 грн
100+60.20 грн
500+44.87 грн
1000+42.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJD70P03E-AU_L2_006A1 PJD70P03E-AU_L2_006A1 Виробник : Panjit International Inc. PJD70P03E-AU Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.