на замовлення 2928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 218.42 грн |
| 10+ | 184.04 грн |
| 100+ | 120.03 грн |
| 500+ | 110.97 грн |
| 1000+ | 99.65 грн |
| 3000+ | 84.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJD90P03E-AU_L2_006A1 Panjit
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -88A; Idm: -219A; 40W; TO252AA, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -30V, Drain current: -88A, Pulsed drain current: -219A, Power dissipation: 40W, Case: TO252AA, Gate-source voltage: ±25V, On-state resistance: 6.4mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 68nC, Kind of package: reel, Kind of channel: enhancement, Application: automotive industry.
Інші пропозиції PJD90P03E-AU_L2_006A1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| PJD90P03E-AU_L2_006A1 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -88A; Idm: -219A; 40W; TO252AA Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -88A Pulsed drain current: -219A Power dissipation: 40W Case: TO252AA Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 6.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 68nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
товару немає в наявності |