Продукція > PANJIT > PJD90P03E-AU_L2_006A1
PJD90P03E-AU_L2_006A1

PJD90P03E-AU_L2_006A1 Panjit

PJD90P03E_AU.pdf Виробник: Panjit
MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.05 грн
10+189.27 грн
100+117.23 грн
500+108.69 грн
1000+102.48 грн
3000+86.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJD90P03E-AU_L2_006A1 Panjit

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 88A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PJD90P03E-AU_L2_006A1 за ціною від 100.29 грн до 273.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJD90P03E-AU_L2_006A1 PJD90P03E-AU_L2_006A1 Виробник : Panjit International Inc. PJD90P03E-AU.pdf Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+273.77 грн
10+172.41 грн
100+120.80 грн
500+100.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJD90P03E-AU_L2_006A1 PJD90P03E-AU_L2_006A1 Виробник : Panjit International Inc. PJD90P03E-AU.pdf Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD90P03E-AU_L2_006A1 Виробник : PanJit Semiconductor PJD90P03E-AU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -88A; Idm: -219A; 40W; TO252AA
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -88A
Pulsed drain current: -219A
Power dissipation: 40W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.