Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJD9P06A-AU_L2_000A1
PJD9P06A-AU_L2_000A1

PJD9P06A-AU_L2_000A1 Panjit International Inc.

PJD9P06A-AU.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 2616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.81 грн
10+37.07 грн
100+28.44 грн
500+21.10 грн
1000+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJD9P06A-AU_L2_000A1 Panjit International Inc.

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-252, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15.6W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 7A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції PJD9P06A-AU_L2_000A1 за ціною від 13.00 грн до 53.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJD9P06A-AU_L2_000A1 PJD9P06A-AU_L2_000A1 Виробник : Panjit 4641333431324433373236344534343743373332453730433844333237414443.pdf MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.06 грн
10+32.47 грн
100+18.15 грн
500+13.84 грн
1000+13.00 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PJD9P06A-AU_L2_000A1 PJD9P06A-AU_L2_000A1 Виробник : Panjit International Inc. PJD9P06A-AU.pdf Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 15.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD9P06A-AU_L2_000A1 Виробник : PanJit Semiconductor PJD9P06A-AU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Case: TO252AA
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.