Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJE8402_R1_00001
PJE8402_R1_00001

PJE8402_R1_00001 Panjit International Inc.

PJE8402.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 700mA, 4,5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+6.84 грн
8000+6.44 грн
12000+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJE8402_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-523, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 700mA, 4,5V, Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-523, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 10 V.

Інші пропозиції PJE8402_R1_00001 за ціною від 5.22 грн до 33.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJE8402_R1_00001 PJE8402_R1_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJE8402.pdf Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 700mA, 4,5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 10 V
на замовлення 15131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.40 грн
15+21.17 грн
100+10.67 грн
500+8.88 грн
1000+6.91 грн
2000+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8402_R1_00001 PJE8402_R1_00001 Виробник : Panjit PJE8402-1875968.pdf MOSFETs 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 1627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+33.78 грн
14+25.54 грн
100+13.79 грн
1000+7.26 грн
4000+6.46 грн
8000+5.59 грн
24000+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8402_R1_00001 Виробник : PanJit Semiconductor PJE8402.pdf PJE8402-R1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.