Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJE8403_R1_00001
PJE8403_R1_00001

PJE8403_R1_00001 Panjit International Inc.

PJE8403.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOT-523, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523 Flat Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 151 pF @ 10 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJE8403_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: SOT-523, MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-89, SOT-490, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 600mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-523 Flat Leads, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 151 pF @ 10 V.

Інші пропозиції PJE8403_R1_00001 за ціною від 4.08 грн до 22.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PJE8403_R1_00001 PJE8403_R1_00001 Panjit International Inc. PJE8403.pdf Description: SOT-523, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523 Flat Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 151 pF @ 10 V
на замовлення 39498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.03 грн
32+9.68 грн
100+4.96 грн
500+4.58 грн
1000+4.51 грн
2000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8403_R1_00001 PJE8403_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE8403.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -600mA; Idm: -2.4A; 300mW
Case: SOT523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.3W
Gate charge: 2.2nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -600mA
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.6Ω
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.79 грн
38+11.17 грн
50+8.72 грн
100+7.70 грн
500+5.76 грн
1000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8403_R1_00001 PJE8403_R1_00001 Panjit 9401AC4047548FCE26B1B6309BAB095D8A4366EC16C128D7B0E4D0C27BDC12E8.pdf MOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 6034 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8403_R1_00001 PJE8403.pdf
PJE8403_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOT-523, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523 Flat Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 151 pF @ 10 V
на замовлення 39498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+15.03 грн
32+9.68 грн
100+4.96 грн
500+4.58 грн
1000+4.51 грн
2000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8403_R1_00001 PJE8403.pdf
PJE8403_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -600mA; Idm: -2.4A; 300mW
Case: SOT523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -2.4A
Power dissipation: 0.3W
Gate charge: 2.2nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -600mA
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.6Ω
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+22.79 грн
38+11.17 грн
50+8.72 грн
100+7.70 грн
500+5.76 грн
1000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8403_R1_00001 9401AC4047548FCE26B1B6309BAB095D8A4366EC16C128D7B0E4D0C27BDC12E8.pdf
PJE8403_R1_00001
Виробник: Panjit
MOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 6034 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.