Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJE8407_R1_00001
PJE8407_R1_00001

PJE8407_R1_00001 Panjit International Inc.

PJE8407.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+33.21 грн
17+19.44 грн
100+12.26 грн
500+8.60 грн
1000+7.66 грн
2000+6.87 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJE8407_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-523, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-523, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V.

Інші пропозиції PJE8407_R1_00001 за ціною від 6.06 грн до 35.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJE8407_R1_00001 PJE8407_R1_00001 Виробник : Panjit 28543B1397A169B2728BE0A21B4057B5D0ABB7754B24BF0C23BA9F572C49FA87.pdf MOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 3650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+35.54 грн
17+21.46 грн
100+11.89 грн
500+8.90 грн
1000+7.87 грн
2000+6.77 грн
4000+6.06 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8407_R1_00001 PJE8407_R1_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJE8407.pdf Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8407_R1_00001 Виробник : PanJit Semiconductor PJE8407.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 500mA; SOT523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT523
Drain current: 0.5A
Gate-source voltage: 10V
Drain-source voltage: 20V
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.