PJE8408_R1_00001 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.Description: SOT-523, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523 Flat Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67 pF @ 10 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 3.10 грн |
| 8000+ | 2.90 грн |
| 12000+ | 1.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJE8408_R1_00001 Panjit International Inc.
Description: SOT-523, MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-89, SOT-490, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-523 Flat Leads, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67 pF @ 10 V.
Інші пропозиції PJE8408_R1_00001 за ціною від 3.02 грн до 11.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PJE8408_R1_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 500mA; Idm: 1A; 300mW; SOT523 Case: SOT523 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Pulsed drain current: 1A Drain current: 0.5A Gate charge: 1.4nC Power dissipation: 0.3W On-state resistance: 3Ω Gate-source voltage: ±10V Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape |
на замовлення 3835 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
PJE8408_R1_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
Description: SOT-523, MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Flat Leads Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67 pF @ 10 V |
на замовлення 17368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
PJE8408_R1_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 500mA; Idm: 1A; 300mW; SOT523 Case: SOT523 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Pulsed drain current: 1A Drain current: 0.5A Gate charge: 1.4nC Power dissipation: 0.3W On-state resistance: 3Ω Gate-source voltage: ±10V Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3835 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
 |
PJE8408_R1_00001 | Виробник : Panjit |
MOSFETs 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
на замовлення 196311 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|