Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJE8408_R1_00001
PJE8408_R1_00001

PJE8408_R1_00001 Panjit International Inc.

PJE8408.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOT-523, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523 Flat Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67 pF @ 10 V
на замовлення 23468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+3.89 грн
12000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJE8408_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: SOT-523, MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-89, SOT-490, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-523 Flat Leads, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67 pF @ 10 V.

Інші пропозиції PJE8408_R1_00001 за ціною від 5.00 грн до 19.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PJE8408_R1_00001 PJE8408_R1_00001 PanJit Semiconductor PJE8408.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 500mA; Idm: 1A; 300mW; SOT523
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3480 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+10.03 грн
70+6.09 грн
100+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8408_R1_00001 PJE8408_R1_00001 Panjit International Inc. PJE8408.pdf Description: SOT-523, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523 Flat Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67 pF @ 10 V
на замовлення 26347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.78 грн
27+11.58 грн
50+8.32 грн
100+6.79 грн
500+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8408_R1_00001 PJE8408_R1_00001 Panjit 8CEE7BB35FA2971427077B5895169080607BBC1669D9864D8B1641081F352E50.pdf MOSFETs 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 141615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8408_R1_00001 PJE8408.pdf
PJE8408_R1_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 500mA; Idm: 1A; 300mW; SOT523
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3480 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+10.03 грн
70+6.09 грн
100+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8408_R1_00001 PJE8408.pdf
PJE8408_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: SOT-523, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523 Flat Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67 pF @ 10 V
на замовлення 26347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+19.78 грн
27+11.58 грн
50+8.32 грн
100+6.79 грн
500+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8408_R1_00001 8CEE7BB35FA2971427077B5895169080607BBC1669D9864D8B1641081F352E50.pdf
PJE8408_R1_00001
Виробник: Panjit
MOSFETs 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 141615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.