PJE8438_R1_00001 Panjit International Inc.


PJE8438.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Supplier Device Package: SOT-523
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+6.00 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJE8438_R1_00001 Panjit International Inc.

Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V, Supplier Device Package: SOT-523, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-523, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції PJE8438_R1_00001 за ціною від 6.21 грн до 29.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PJE8438_R1_00001 PJE8438_R1_00001 Panjit International Inc. PJE8438.pdf Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
на замовлення 4345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.45 грн
15+20.15 грн
100+12.53 грн
500+7.77 грн
1000+6.93 грн
2000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8438_R1_00001 PJE8438_R1_00001 Panjit ED32A6D8B19DF0A1202CBC45266D6DE70C49958227337EFDF94C7ABCC05ACB9F.pdf MOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 3771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8438_R1_00001 PJE8438.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
на замовлення 4345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.45 грн
15+20.15 грн
100+12.53 грн
500+7.77 грн
1000+6.93 грн
2000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJE8438_R1_00001 ED32A6D8B19DF0A1202CBC45266D6DE70C49958227337EFDF94C7ABCC05ACB9F.pdf
Виробник: Panjit
MOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
на замовлення 3771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.