PJE8438_R1_00001 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Supplier Device Package: SOT-523
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 6.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJE8438_R1_00001 Panjit International Inc.
Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V, Supplier Device Package: SOT-523, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-523, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції PJE8438_R1_00001 за ціною від 5.35 грн до 32.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PJE8438_R1_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V |
на замовлення 4345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PJE8438_R1_00001 | Виробник : Panjit |
MOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected |
на замовлення 3771 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PJE8438-R1-00001 | Виробник : Panjit |
MOSFET SOT-523/MOS/SOT/NFET-50TBMN |
товару немає в наявності |
