PJE8439_R1_00001 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-523
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-523
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 17.82 грн |
| 26+ | 11.57 грн |
| 100+ | 5.57 грн |
| 500+ | 4.85 грн |
| 1000+ | 4.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJE8439_R1_00001 Panjit International Inc.
Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-523, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Supplier Device Package: SOT-523, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta).
Інші пропозиції PJE8439_R1_00001
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PJE8439_R1_00001 | Panjit |
MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
на замовлення 3854 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PJE8439_R1_00001 |
|
Виробник: Panjit
MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 3854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)