PJF18N20_T0_00001

PJF18N20_T0_00001 Panjit International Inc.


PJx18N20.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 200V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1017 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ITO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJF18N20_T0_00001 Panjit International Inc.

Description: 200V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1017 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: ITO-220AB, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube.

Інші пропозиції PJF18N20_T0_00001

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJF18N20_T0_00001 PJF18N20_T0_00001 Виробник : Panjit 1576102ADCD645C4BDDA3BBD7E1D47EE25161DB5A7C0F9589A047FAAC4B704B0.pdf MOSFETs 200V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJF18N20-T0-00001 PJF18N20-T0-00001 Виробник : Panjit PJx18N20-1867477.pdf MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJF18N20_T0_00001 Виробник : PanJit Semiconductor PJx18N20.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; ITO220AB
Case: ITO220AB
Mounting: SMD
Drain current: 18A
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 200V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.