Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJL9480_R2_00001
PJL9480_R2_00001

PJL9480_R2_00001 Panjit International Inc.

PJL9480.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1764 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+86.79 грн
10+56.49 грн
100+39.36 грн
500+29.72 грн
1000+27.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJL9480_R2_00001 Panjit International Inc.

Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SOP, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1764 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Vgs (Max): ±25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V.

Інші пропозиції PJL9480_R2_00001

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PJL9480_R2_00001 PJL9480_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9480.pdf Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1764 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJL9480_R2_00001 PJL9480_R2_00001 Panjit PJL9480-1869088.pdf MOSFET 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJL9480_R2_00001 PJL9480.pdf
PJL9480_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1764 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJL9480_R2_00001 PJL9480-1869088.pdf
PJL9480_R2_00001
Виробник: Panjit
MOSFET 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.