PJL9812_R2_00201 Panjit International Inc.


PJL9812.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 30V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 421pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJL9812_R2_00201 Panjit International Inc.

Description: 30V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 421pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOP, Part Status: Active.

Інші пропозиції PJL9812_R2_00201 за ціною від 11.50 грн до 63.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PJL9812_R2_00201 PJL9812_R2_00201 Panjit PJL9812-1869177.pdf MOSFETs 30V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.65 грн
10+39.90 грн
100+23.34 грн
500+18.05 грн
1000+15.47 грн
2500+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJL9812_R2_00201 PJL9812_R2_00201 Panjit International Inc. PJL9812.pdf Description: 30V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 421pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
на замовлення 4959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.49 грн
10+37.89 грн
100+24.60 грн
500+17.71 грн
1000+15.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJL9812_R2_00201 PJL9812-1869177.pdf
Виробник: Panjit
MOSFETs 30V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+53.65 грн
10+39.90 грн
100+23.34 грн
500+18.05 грн
1000+15.47 грн
2500+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJL9812_R2_00201 PJL9812.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 30V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 421pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
на замовлення 4959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+63.49 грн
10+37.89 грн
100+24.60 грн
500+17.71 грн
1000+15.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.