PJL9812_R2_00201 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 421pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 11.24 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJL9812_R2_00201 Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 421pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOP, Part Status: Active.
Інші пропозиції PJL9812_R2_00201 за ціною від 12.39 грн до 50.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PJL9812_R2_00201 | Panjit International Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 421pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active |
на замовлення 4957 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
PJL9812_R2_00201 | Panjit |
MOSFETs 30V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
на замовлення 2463 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PJL9812_R2_00201 |
![]() |
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 421pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 421pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 4957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 50.91 грн |
| 10+ | 30.16 грн |
| 100+ | 19.36 грн |
| 500+ | 13.80 грн |
| 1000+ | 12.39 грн |
| PJL9812_R2_00201 |
![]() |
Виробник: Panjit
MOSFETs 30V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
MOSFETs 30V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 2463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)



