PJL9850_R2_00001 PanJit Semiconductor
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 5.4A; Idm: 20A; 1.7W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5.4A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 20A
Gate charge: 4.4nC
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 55.09 грн |
| 15+ | 29.02 грн |
| 50+ | 19.12 грн |
| 100+ | 16.61 грн |
| 250+ | 15.10 грн |
| 500+ | 14.01 грн |
| 1000+ | 13.42 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
9 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJL9850_R2_00001 PanJit Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 40V 5.4A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.7W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOP, Part Status: Active.
Інші пропозиції PJL9850_R2_00001 за ціною від 14.10 грн до 56.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PJL9850_R2_00001 | Panjit International Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 5.4A 8SOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.7W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active |
на замовлення 1302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
PJL9850_R2_00001 | Panjit |
MOSFETs 40V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PJL9850_R2_00001 |
![]() |
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 40V 5.4A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 40V 5.4A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 1302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 56.43 грн |
| 10+ | 33.97 грн |
| 100+ | 21.90 грн |
| 500+ | 15.67 грн |
| 1000+ | 14.10 грн |
| PJL9850_R2_00001 |
![]() |
Виробник: Panjit
MOSFETs 40V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
MOSFETs 40V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




