Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJMB210N65EC_R2_00601
PJMB210N65EC_R2_00601

PJMB210N65EC_R2_00601 Panjit International Inc.

PJMB210N65EC.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+204.91 грн
10+127.46 грн
50+97.21 грн
100+77.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJMB210N65EC_R2_00601 Panjit International Inc.

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263, Case: TO263, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 650V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.21Ω, Pulsed drain current: 42A, Power dissipation: 150W, Gate charge: 34nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 19A.

Інші пропозиції PJMB210N65EC_R2_00601

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PJMB210N65EC_R2_00601 PJMB210N65EC_R2_00601 Panjit International Inc. PJMB210N65EC.pdf Description: 650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMB210N65EC_R2_00601 PJMB210N65EC_R2_00601 Panjit PJMB210N65EC.pdf MOSFETs 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMB210N65EC_R2_00601 PJMB210N65EC_R2_00601 PanJit Semiconductor PJMB210N65EC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 150W
Gate charge: 34nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 19A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMB210N65EC_R2_00601 PJMB210N65EC.pdf
PJMB210N65EC_R2_00601
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMB210N65EC_R2_00601 PJMB210N65EC.pdf
PJMB210N65EC_R2_00601
Виробник: Panjit
MOSFETs 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMB210N65EC_R2_00601 PJMB210N65EC.pdf
PJMB210N65EC_R2_00601
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 150W
Gate charge: 34nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 19A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.