Продукція > PANJIT > PJMB210N65EC-R2

PJMB210N65EC-R2 Panjit

Виробник: Panjit
MOSFETs TO263 650V 19A N-CH SJUNC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Технічний опис PJMB210N65EC-R2 Panjit

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 19A, Power dissipation: 150W, Case: TO263, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.21Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 34nC, Kind of channel: enhancement, Kind of package: reel; tape, Pulsed drain current: 42A.

Інші пропозиції PJMB210N65EC-R2

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	PJMB210N65EC_R2_00601	PanJit	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 19A Power dissipation: 150W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 42A	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.

PJMB210N65EC_R2_00601

Виробник: PanJit
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 42A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.