Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJMD190N65FR2_L2_00601
PJMD190N65FR2_L2_00601

PJMD190N65FR2_L2_00601 Panjit International Inc.

PJMD190N65FR2 Виробник: Panjit International Inc.
Description: 650V/ 180M / FAST RECOVERY QRR/
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 168.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1492 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+71.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJMD190N65FR2_L2_00601 Panjit International Inc.

Description: 650V/ 180M / FAST RECOVERY QRR/, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 168.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1492 pF @ 400 V.

Інші пропозиції PJMD190N65FR2_L2_00601 за ціною від 68.42 грн до 238.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJMD190N65FR2_L2_00601 PJMD190N65FR2_L2_00601 Виробник : Panjit International Inc. PJMD190N65FR2 Description: 650V/ 180M / FAST RECOVERY QRR/
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 168.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1492 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+238.96 грн
10+146.40 грн
25+124.58 грн
100+93.78 грн
250+82.41 грн
500+75.41 грн
1000+68.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD190N65FR2_L2_00601 PJMD190N65FR2_L2_00601 Виробник : Panjit PJMD190N65FR2 MOSFETs 650V/ 180m ohms / Fast Recovery Qrr/trr SJ MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.