PJMD280N60E1_L2_00601 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.Description: 600V/ 280M / 13.8A/ EASY TO DRIV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TO-252AA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 38.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJMD280N60E1_L2_00601 Panjit International Inc.
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 41.4A; 49.1W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 13.8A, Pulsed drain current: 41.4A, Power dissipation: 49.1W, Case: TO252AA, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.28Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 27nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції PJMD280N60E1_L2_00601 за ціною від 36.26 грн до 107.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PJMD280N60E1_L2_00601 | Виробник : Panjit International Inc. |
Description: 600V/ 280M / 13.8A/ EASY TO DRIV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: TO-252AA |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PJMD280N60E1_L2_00601 | Виробник : Panjit |
MOSFETs 600V/ 280mohms / 13.8A/ Easy to driver SJ MOSFET |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PJMD280N60E1_L2_00601 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 41.4A; 49.1W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13.8A Pulsed drain current: 41.4A Power dissipation: 49.1W Case: TO252AA Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Gate charge: 27nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| PJMD280N60E1_L2_00601 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 41.4A; 49.1W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13.8A Pulsed drain current: 41.4A Power dissipation: 49.1W Case: TO252AA Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: SMD Gate charge: 27nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |