Продукція > PANJIT > PJMD280N60E1-L2

PJMD280N60E1-L2 Panjit

PJMD280N60E1-3472359.pdf
Виробник: Panjit
MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJMD280N60E1-L2 Panjit

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 41.4A; 49.1W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 13.8A, Pulsed drain current: 41.4A, Power dissipation: 49.1W, Case: TO252AA, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.28Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 27nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.

Інші пропозиції PJMD280N60E1-L2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PJMD280N60E1_L2_00601 PanJit Semiconductor PJMD280N60E1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 41.4A; 49.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 49.1W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD280N60E1_L2_00601 PJMD280N60E1.pdf
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 41.4A; 49.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 49.1W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.