Продукція > PANJIT > PJMD360N60EC-L2

PJMD360N60EC-L2 Panjit


Виробник: Panjit
MOSFETs TO252 600V 11A N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJMD360N60EC-L2 Panjit

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO252AA, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 87.5W, Case: TO252AA, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.36Ω, Pulsed drain current: 23A, Gate charge: 18.7nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 11A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 600V.

Інші пропозиції PJMD360N60EC-L2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PJMD360N60EC_L2_00001 PJMD360N60EC_L2_00001 PanJit PJMD360N60EC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 87.5W
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Pulsed drain current: 23A
Gate charge: 18.7nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 11A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD360N60EC_L2_00001 PJMD360N60EC.pdf
PJMD360N60EC_L2_00001
Виробник: PanJit
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 87.5W
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Pulsed drain current: 23A
Gate charge: 18.7nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 11A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.