Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJMD900N60EC_L2_00001
PJMD900N60EC_L2_00001

PJMD900N60EC_L2_00001 Panjit International Inc.

PJMD900N60EC.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: 600V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 47.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+67.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJMD900N60EC_L2_00001 Panjit International Inc.

Description: 600V SUPER JUNCITON MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 47.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 400 V.

Інші пропозиції PJMD900N60EC_L2_00001 за ціною від 58.26 грн до 203.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJMD900N60EC_L2_00001 PJMD900N60EC_L2_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJMD900N60EC.pdf Description: 600V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 47.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 400 V
на замовлення 5835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.20 грн
10+119.87 грн
100+95.44 грн
500+75.79 грн
1000+64.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD900N60EC_L2_00001 PJMD900N60EC_L2_00001 Виробник : Panjit PJMD900N60EC-2902611.pdf MOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+203.37 грн
10+137.98 грн
100+89.80 грн
500+73.12 грн
1000+65.42 грн
2500+59.39 грн
6000+58.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJMD900N60EC_L2_00001 Виробник : PanJit Semiconductor PJMD900N60EC.pdf PJMD900N60EC-L2 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.