
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 148.96 грн |
10+ | 122.08 грн |
100+ | 84.63 грн |
250+ | 77.95 грн |
500+ | 71.27 грн |
1000+ | 62.95 грн |
6000+ | 55.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJMD990N65EC_L2_00001 Panjit
Description: 650V SUPER JUNCTION MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 47.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V.
Інші пропозиції PJMD990N65EC_L2_00001 за ціною від 235.88 грн до 610.29 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PJMD990N65EC_L2_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 47.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
PJMD990N65EC_L2_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 47.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
PJMD990N65EC_L2_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |