Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJMF190N60E1_T0_00001
PJMF190N60E1_T0_00001

PJMF190N60E1_T0_00001 Panjit International Inc.

PJMF190N60E1.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 600V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 400 V
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+182.10 грн
50+85.86 грн
100+77.20 грн
500+58.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJMF190N60E1_T0_00001 Panjit International Inc.

Description: 600V SUPER JUNCITON MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: ITO-220AB-F, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 400 V.

Інші пропозиції PJMF190N60E1_T0_00001 за ціною від 158.36 грн до 200.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PJMF190N60E1_T0_00001 PJMF190N60E1_T0_00001 PanJit Semiconductor PJMF190N60E1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 38W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 40nC
Power dissipation: 38W
Pulsed drain current: 60A
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+200.01 грн
10+171.63 грн
25+158.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF190N60E1_T0_00001 PJMF190N60E1_T0_00001 Panjit PJMF190N60E1.pdf MOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF190N60E1_T0_00001 PJMF190N60E1.pdf
PJMF190N60E1_T0_00001
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 38W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 40nC
Power dissipation: 38W
Pulsed drain current: 60A
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+200.01 грн
10+171.63 грн
25+158.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF190N60E1_T0_00001 PJMF190N60E1.pdf
PJMF190N60E1_T0_00001
Виробник: Panjit
MOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.