PJMF190N60E1_T0_00001 PanJit Semiconductor
Виробник: PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 38W; ITO220AB
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
On-state resistance: 0.19Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: THT
Case: ITO220AB
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 209.09 грн |
| 9+ | 109.26 грн |
| 24+ | 102.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJMF190N60E1_T0_00001 PanJit Semiconductor
Description: 600V SUPER JUNCITON MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: ITO-220AB-F, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 400 V.
Інші пропозиції PJMF190N60E1_T0_00001 за ціною від 92.22 грн до 252.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PJMF190N60E1_T0_00001 | Виробник : Panjit |
MOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI |
на замовлення 1979 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PJMF190N60E1_T0_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 38W; ITO220AB Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A On-state resistance: 0.19Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 38W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 40nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 60A Mounting: THT Case: ITO220AB кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PJMF190N60E1_T0_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
Description: 600V SUPER JUNCITON MOSFET Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: ITO-220AB-F Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 400 V |
на замовлення 1926 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|