PJMF210N65EC_T0_00601 Panjit International Inc.
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 176.63 грн |
| 50+ | 83.90 грн |
| 100+ | 75.49 грн |
| 500+ | 57.69 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJMF210N65EC_T0_00601 Panjit International Inc.
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 32W; ITO220AB, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 19A, Power dissipation: 32W, Case: ITO220AB, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.21Ω, Mounting: THT, Gate charge: 34nC, Kind of channel: enhancement, Kind of package: tube, Pulsed drain current: 42A.
Інші пропозиції PJMF210N65EC_T0_00601 за ціною від 104.81 грн до 201.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PJMF210N65EC_T0_00601 | PanJit |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 32W; ITO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 19A Power dissipation: 32W Case: ITO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Pulsed drain current: 42A |
на замовлення 46 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||
|
PJMF210N65EC_T0_00601 | Panjit |
MOSFETs 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET |
на замовлення 1690 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PJMF210N65EC_T0_00601 |
![]() |
Виробник: PanJit
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 32W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 32W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 42A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 32W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 32W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 42A
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 201.75 грн |
| 10+ | 104.81 грн |
| PJMF210N65EC_T0_00601 |
![]() |
Виробник: Panjit
MOSFETs 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
MOSFETs 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)





