Продукція > PANJIT SEMICONDUCTOR > PJMF210N65EC_T0_00601
PJMF210N65EC_T0_00601

PJMF210N65EC_T0_00601 PanJit Semiconductor


PJMF210N65EC.pdf Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 32W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 32W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 42A
Gate charge: 34nC
на замовлення 46 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+180.27 грн
10+93.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJMF210N65EC_T0_00601 PanJit Semiconductor

Description: 650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 32W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: ITO-220AB-F, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1412 pF @ 400 V.

Інші пропозиції PJMF210N65EC_T0_00601 за ціною від 57.74 грн до 193.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJMF210N65EC_T0_00601 PJMF210N65EC_T0_00601 Виробник : Panjit PJMF210N65EC.pdf MOSFETs 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
на замовлення 1715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+182.05 грн
10+89.10 грн
100+73.44 грн
500+64.51 грн
1000+63.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF210N65EC_T0_00601 PJMF210N65EC_T0_00601 Виробник : Panjit International Inc. PJMF210N65EC.pdf Description: 650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1412 pF @ 400 V
на замовлення 1963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+193.99 грн
50+92.16 грн
100+82.92 грн
500+62.62 грн
1000+57.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.