PJMF210N65EC_T0_00601 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1412 pF @ 400 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 177.07 грн |
| 50+ | 83.87 грн |
| 100+ | 75.46 грн |
| 500+ | 56.99 грн |
| 1000+ | 52.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJMF210N65EC_T0_00601 Panjit International Inc.
Description: 650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 32W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: ITO-220AB-F, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1412 pF @ 400 V.
Інші пропозиції PJMF210N65EC_T0_00601 за ціною від 62.34 грн до 203.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PJMF210N65EC_T0_00601 | Panjit |
MOSFETs 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET |
на замовлення 1700 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
PJMF210N65EC_T0_00601 | PanJit Semiconductor |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 32W; ITO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 19A Power dissipation: 32W Case: ITO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 34nC Pulsed drain current: 42A |
на замовлення 46 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| PJMF210N65EC_T0_00601 |
|
Виробник: Panjit
MOSFETs 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
MOSFETs 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 185.24 грн |
| 10+ | 90.50 грн |
| 100+ | 69.72 грн |
| 500+ | 62.34 грн |
| PJMF210N65EC_T0_00601 |
|
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 32W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 32W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 34nC
Pulsed drain current: 42A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 32W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 32W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 34nC
Pulsed drain current: 42A
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 203.14 грн |
| 10+ | 105.53 грн |