на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 208.92 грн |
| 10+ | 111.41 грн |
| 100+ | 88.80 грн |
| 500+ | 73.24 грн |
| 1000+ | 69.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJMF280N60E1_T0_00001 Panjit
Description: 600V SUPER JUNCITON MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 34W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: ITO-220AB-F, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 926 pF @ 400 V.
Інші пропозиції PJMF280N60E1_T0_00001 за ціною від 69.53 грн до 228.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PJMF280N60E1_T0_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
 Description: 600V SUPER JUNCITON MOSFETPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: ITO-220AB-F Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 926 pF @ 400 V |
на замовлення 1966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PJMF280N60E1_T0_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 41.4A; 34W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13.8A Pulsed drain current: 41.4A Power dissipation: 34W Case: ITO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 27nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
PJMF280N60E1_T0_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; Idm: 41.4A; 34W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13.8A Pulsed drain current: 41.4A Power dissipation: 34W Case: ITO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 27nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |