Продукція > PANJIT SEMICONDUCTOR > PJMF390N65EC_T0_00001
PJMF390N65EC_T0_00001

PJMF390N65EC_T0_00001 PanJit Semiconductor

PJMF390N65EC.pdf Виробник: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 29.5W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 29.5W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+105.06 грн
10+70.87 грн
50+65.87 грн
100+64.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJMF390N65EC_T0_00001 PanJit Semiconductor

Description: 650V SUPER JUNCTION MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 29.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: ITO-220AB-F, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 726 pF @ 400 V.

Інші пропозиції PJMF390N65EC_T0_00001 за ціною від 39.92 грн до 155.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJMF390N65EC_T0_00001 PJMF390N65EC_T0_00001 Виробник : PanJit Semiconductor PJMF390N65EC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 29.5W; ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 29.5W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.07 грн
10+88.32 грн
50+79.04 грн
100+77.04 грн
250+72.04 грн
500+70.04 грн
1000+67.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF390N65EC_T0_00001 PJMF390N65EC_T0_00001 Виробник : Panjit International Inc. PJMF390N65EC.pdf Description: 650V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 726 pF @ 400 V
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.00 грн
10+86.88 грн
100+58.57 грн
500+43.58 грн
1000+39.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF390N65EC_T0_00001 PJMF390N65EC_T0_00001 Виробник : Panjit PJMF390N65EC.pdf MOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 733 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.02 грн
10+119.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.