Продукція > PANJIT > PJMF390N65EC_T0_00001

PJMF390N65EC_T0_00001 PanJit


PJMF390N65EC.pdf
Виробник: PanJit
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 29.5W; ITO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 29.5W
Gate charge: 19nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 10A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: ITO220AB
On-state resistance: 390mΩ
Pulsed drain current: 22A
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+112.75 грн
10+76.38 грн
17+60.07 грн
46+56.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 5 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJMF390N65EC_T0_00001 PanJit

Description: 650V SUPER JUNCTION MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 29.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: ITO-220AB-F, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 726 pF @ 400 V.

Інші пропозиції PJMF390N65EC_T0_00001 за ціною від 36.98 грн до 160.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PJMF390N65EC_T0_00001 PJMF390N65EC_T0_00001 Panjit International Inc. PJMF390N65EC.pdf Description: 650V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 726 pF @ 400 V
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.53 грн
10+80.48 грн
100+54.26 грн
500+40.37 грн
1000+36.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF390N65EC_T0_00001 PJMF390N65EC_T0_00001 Panjit PJMF390N65EC.pdf MOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 733 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+160.58 грн
10+125.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF390N65EC_T0_00001 PJMF390N65EC.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 650V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 726 pF @ 400 V
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+131.53 грн
10+80.48 грн
100+54.26 грн
500+40.37 грн
1000+36.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJMF390N65EC_T0_00001 PJMF390N65EC.pdf
Виробник: Panjit
MOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
на замовлення 733 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+160.58 грн
10+125.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.