PJMF390N65EC_T0_00001 PanJit Semiconductor
Виробник: PanJit SemiconductorCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 29.5W; ITO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: ITO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 390mΩ
Drain current: 10A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 29.5W
Drain-source voltage: 650V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 103.33 грн |
| 10+ | 69.70 грн |
| 50+ | 64.78 грн |
| 100+ | 63.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJMF390N65EC_T0_00001 PanJit Semiconductor
Description: 650V SUPER JUNCTION MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 29.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: ITO-220AB-F, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 726 pF @ 400 V.
Інші пропозиції PJMF390N65EC_T0_00001 за ціною від 65.93 грн до 217.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PJMF390N65EC_T0_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 29.5W; ITO220AB Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: ITO220AB Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 19nC On-state resistance: 390mΩ Drain current: 10A Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 22A Power dissipation: 29.5W Drain-source voltage: 650V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PJMF390N65EC_T0_00001 | Виробник : Panjit |
MOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI |
на замовлення 733 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PJMF390N65EC_T0_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
Description: 650V SUPER JUNCTION MOSFET Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 29.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: ITO-220AB-F Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 726 pF @ 400 V |
на замовлення 1785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|