PJMF600N65E1_T0_00001 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 650V SUPER JUNCITON MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 554 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 121.26 грн |
| 10+ | 97.18 грн |
| 100+ | 77.38 грн |
| 500+ | 61.44 грн |
| 1000+ | 52.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJMF600N65E1_T0_00001 Panjit International Inc.
Description: 650V SUPER JUNCITON MOSFET, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 554 pF @ 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: ITO-220AB-F, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 32W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Packaging: Tube.
Інші пропозиції PJMF600N65E1_T0_00001 за ціною від 44.51 грн до 168.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PJMF600N65E1_T0_00001 | Виробник : Panjit |
MOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI |
на замовлення 1917 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|