на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 96.13 грн |
| 10+ | 75.80 грн |
| 100+ | 54.22 грн |
| 500+ | 50.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJMF600N65E1_T0_00001 Panjit
Description: 650V SUPER JUNCITON MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 32W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: ITO-220AB-F, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 554 pF @ 400 V.
Інші пропозиції PJMF600N65E1_T0_00001 за ціною від 53.03 грн до 123.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PJMF600N65E1_T0_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
 Description: 650V SUPER JUNCITON MOSFETPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: ITO-220AB-F Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 554 pF @ 400 V |
на замовлення 1958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| PJMF600N65E1_T0_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
PJMF600N65E1-T0 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |