Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJMF900N60E1_T0_00001
PJMF900N60E1_T0_00001

PJMF900N60E1_T0_00001 Panjit International Inc.

PJMF900N60E1.pdf Виробник: Panjit International Inc.
Description: 600V/ 900MOHM SUPER JUNCTION EAS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 23.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.43 грн
10+89.97 грн
100+60.59 грн
500+45.09 грн
1000+41.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJMF900N60E1_T0_00001 Panjit International Inc.

Description: 600V/ 900MOHM SUPER JUNCTION EAS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 23.6W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: ITO-220AB-F, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V.

Інші пропозиції PJMF900N60E1_T0_00001

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJMF900N60E1_T0_00001 PJMF900N60E1_T0_00001 Виробник : Panjit PJMF900N60E1-2583616.pdf MOSFETs 600V/ 900mohm Super Junction Easy version Gen.1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.