PJMH120N60EC_T0_00601 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.Description: 600V/ 120MOHM / 30A/ EASY TO DRI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 400 V
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 274.55 грн |
| 10+ | 200.63 грн |
| 30+ | 182.11 грн |
| 120+ | 155.35 грн |
| 270+ | 148.69 грн |
| 510+ | 147.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJMH120N60EC_T0_00601 Panjit International Inc.
Description: 600V/ 120MOHM / 30A/ EASY TO DRI, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 235W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AD, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 400 V.
Інші пропозиції PJMH120N60EC_T0_00601 за ціною від 169.94 грн до 319.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PJMH120N60EC_T0_00601 | Виробник : Panjit |
MOSFETs 600V 120mohm 30A Easy to driver SJ MOSFET |
на замовлення 1482 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
PJMH120N60EC_T0_00601 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 235W; TO247AD-3 Case: TO247AD-3 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 235W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 51nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 69A Mounting: THT Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A On-state resistance: 0.12Ω кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
PJMH120N60EC_T0_00601 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; Idm: 69A; 235W; TO247AD-3 Case: TO247AD-3 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 235W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 51nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 69A Mounting: THT Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A On-state resistance: 0.12Ω |
товару немає в наявності |