PJMH190N60E1_T0_00601 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 600V/ 190MOHM / 20.6A/ EASY TO D
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 400 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 146.00 грн |
| 10+ | 104.00 грн |
| 30+ | 93.17 грн |
| 120+ | 78.38 грн |
| 270+ | 74.51 грн |
| 510+ | 72.78 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJMH190N60E1_T0_00601 Panjit International Inc.
Description: 600V/ 190MOHM / 20.6A/ EASY TO D, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 160W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AD, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 400 V.
Інші пропозиції PJMH190N60E1_T0_00601 за ціною від 110.37 грн до 163.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PJMH190N60E1_T0_00601 | Panjit |
MOSFETs 600V 190mohm 20.6A Easy to driver SJ MOSFET |
на замовлення 1419 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||
 |
PJMH190N60E1_T0_00601 | PanJit |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.6A; Idm: 62A; 160W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20.6A Pulsed drain current: 62A Power dissipation: 160W Case: TO247AD-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 60 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| PJMH190N60E1_T0_00601 |
|
Виробник: Panjit
MOSFETs 600V 190mohm 20.6A Easy to driver SJ MOSFET
MOSFETs 600V 190mohm 20.6A Easy to driver SJ MOSFET
на замовлення 1419 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 158.87 грн |
| 10+ | 139.30 грн |
| PJMH190N60E1_T0_00601 |
|
Виробник: PanJit
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.6A; Idm: 62A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.6A
Pulsed drain current: 62A
Power dissipation: 160W
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.6A; Idm: 62A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.6A
Pulsed drain current: 62A
Power dissipation: 160W
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 163.66 грн |
| 9+ | 117.16 грн |
| 23+ | 110.37 грн |