PJMH190N60E1_T0_00601

PJMH190N60E1_T0_00601 Panjit International Inc.


PJMH190N60E1.pdf
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 600V/ 190MOHM / 20.6A/ EASY TO D
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 400 V
на замовлення 1351 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.01 грн
10+96.75 грн
30+86.76 грн
120+72.99 грн
270+69.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJMH190N60E1_T0_00601 Panjit International Inc.

Description: 600V/ 190MOHM / 20.6A/ EASY TO D, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 160W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AD, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 400 V.

Інші пропозиції PJMH190N60E1_T0_00601 за ціною від 115.73 грн до 142.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJMH190N60E1_T0_00601 PJMH190N60E1_T0_00601 Виробник : Panjit PJMH190N60E1.pdf MOSFETs 600V 190mohm 20.6A Easy to driver SJ MOSFET
на замовлення 1439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.68 грн
10+115.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PJMH190N60E1_T0_00601 PJMH190N60E1_T0_00601 Виробник : PanJit Semiconductor PJMH190N60E1.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.6A; Idm: 62A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.6A
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.18Ω
Gate charge: 40nC
Power dissipation: 160W
Pulsed drain current: 62A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.