PJMP060N65FR2_T0_00601

PJMP060N65FR2_T0_00601 Panjit International Inc.


PJMP060N65FR2 Виробник: Panjit International Inc.
Description: 650V/ 60M / FAST RECOVERY QRR/T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4614 pF @ 400 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 23A, 10V
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+473.64 грн
50+242.65 грн
100+222.09 грн
500+174.63 грн
1000+171.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJMP060N65FR2_T0_00601 Panjit International Inc.

Description: 650V/ 60M / FAST RECOVERY QRR/T, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB-L, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4614 pF @ 400 V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 23A, 10V.

Інші пропозиції PJMP060N65FR2_T0_00601

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJMP060N65FR2_T0_00601 PJMP060N65FR2_T0_00601 Виробник : Panjit 5C111C3792273F9F5BF29C30D649C616121182FF0BD0F64B5B1A4EF5E4169182.pdf MOSFETs 650V/ 60m ohms / Fast Recovery Qrr/trr SJ MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJMP060N65FR2_T0_00601 Виробник : PanJit Semiconductor PJMP060N65FR2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 58.3A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 58.3A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.