Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > PJMP080N65FR2_T0_00601
PJMP080N65FR2_T0_00601

PJMP080N65FR2_T0_00601 Panjit International Inc.

PJMP080N65FR2 Виробник: Panjit International Inc.
Description: 650V/ 75M / FAST RECOVERY QRR/T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 388W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3507 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+409.84 грн
10+258.33 грн
50+201.13 грн
100+171.63 грн
250+153.18 грн
500+141.83 грн
1000+134.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PJMP080N65FR2_T0_00601 Panjit International Inc.

Description: 650V/ 75M / FAST RECOVERY QRR/T, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 388W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB-L, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3507 pF @ 400 V.

Інші пропозиції PJMP080N65FR2_T0_00601

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PJMP080N65FR2_T0_00601 PJMP080N65FR2_T0_00601 Виробник : Panjit PJMP080N65FR2-3536560.pdf MOSFETs 650V/ 75m ohms / Fast Recovery Qrr/trr SJ MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.