PJMP130N65EC_T0_00001 Panjit International Inc.
Виробник: Panjit International Inc.Description: 650V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 10.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 400 V
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 241.28 грн |
| 10+ | 131.50 грн |
| 100+ | 90.70 грн |
| 500+ | 68.76 грн |
| 1000+ | 63.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJMP130N65EC_T0_00001 Panjit International Inc.
Description: 650V SUPER JUNCTION MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 10.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 235W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB-L, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 400 V.
Інші пропозиції PJMP130N65EC_T0_00001 за ціною від 276.49 грн до 276.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PJMP130N65EC_T0_00001 | Виробник : Panjit |
MOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||
| PJMP130N65EC_T0_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 29A Case: TO220AB Gate-source voltage: 30V Mounting: THT Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
