на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 175.65 грн |
| 10+ | 115.14 грн |
| 100+ | 69.86 грн |
| 250+ | 69.78 грн |
| 500+ | 61.88 грн |
| 1000+ | 61.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PJMP990N65EC_T0_00001 Panjit
Description: 650V SUPER JUNCTION MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 47.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB-L, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V.
Інші пропозиції PJMP990N65EC_T0_00001 за ціною від 60.98 грн до 218.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PJMP990N65EC_T0_00001 | Виробник : Panjit International Inc. |
 Description: 650V SUPER JUNCTION MOSFETPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 47.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB-L Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PJMP990N65EC_T0_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 47.5W Mounting: THT Case: TO220ABL Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.7A On-state resistance: 990mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 47.5W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 9.7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 9.5A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
PJMP990N65EC_T0_00001 | Виробник : PanJit Semiconductor |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 47.5W Mounting: THT Case: TO220ABL Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.7A On-state resistance: 990mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 47.5W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 9.7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 9.5A |
товару немає в наявності |